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三星副董事长李在镕(左二)出席了这家韩国科技巨头在韩国新的先进芯片研究中心的奠基仪式。图片:三星
三星周五表示,到2028年将斥资20万亿韩元(约合150亿美元)在韩国建设一个新的先进芯片研究中心。
这家韩国科技巨头表示,将在其器兴校区建造的新设施将引领针对存储器和系统半导体的创新新技术和新晶圆制造工艺的高级研究。
三星副董事长李在镕出席了周五的奠基仪式,这是他上周因行贿定罪获得总统赦免后的首次正式举动
“我们正在40年前破土动工建造我们第一家半导体工厂的地方迎接新的挑战,”三星实际领导人李在镕在仪式上对高管和员工说。
“如果我们没有对下一代产品和之后的产品进行大胆的研发投资,三星今天就没有半导体业务。我们需要继续我们先发制人和强调技术的传统,”他补充说。
该设施将占地109,000平方米,位于三星位于首尔南部的器兴园区,是三星在韩国的三大主要半导体生产设施之一。它与华城和平泽的其他校区一起生产公司最新的芯片。
三星表示,它正在寻求通过建立该综合体来“克服半导体规模的限制并巩固其在半导体技术方面的竞争优势”。
该公司指出,其Giheung园区是1992年开发世界上第一个64MbDRAM的地方,这一壮举促使它在次年成为世界上最大的内存芯片制造商,至今仍保持着这一地位。
今年6月,三星宣布开始使用其最新的3nm工艺节点量产芯片。过去几年的全球芯片短缺对三星的芯片部门来说是一个福音,因为客户积压了库存,同时这也让这家韩国科技巨头和其他合同芯片制造商能够从需求激增中提高服务价格。
该公司的芯片部门占今年第二季度营业利润的三分之二。三星当时还指出,由于良品率提高,在晶圆代工或代工芯片生产方面,本季度收入最高。
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