三星启动12纳米DDR5 DRAM大规模生产，降低功耗提高晶圆生产力

2023-05-20 09:35:27 编辑：慕容蕊朗来源：

导读近日，三星电子再次重申其在DRAM领域的领导地位，宣布已经开始大规模生产12纳米DDR5 DRAM。这款新一代内存芯片通过采用差异化工艺技术，在...

近日，三星电子再次重申其在DRAM领域的领导地位，宣布已经开始大规模生产12纳米DDR5 DRAM。这款新一代内存芯片通过采用差异化工艺技术，在功耗和晶圆生产力方面实现了显著的提升。此外，这些内存芯片还具备7.2Gbps的最大引脚速度。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jooyoung Lee在谈到这一制造里程碑时表示："借助差异化的工艺技术，三星的12纳米DDR5 DRAM具备卓越的性能和电源效率。"然而，普通PC用户需要等待更长的时间，因为这些12纳米DDR5芯片的首次应用将主要集中在数据中心、人工智能和下一代计算等领域。

三星表示，12纳米级DRAM的开发是通过采用一种新的高K材料实现的。在进一步的解释中，三星指出，这些集成电路中使用的晶体管栅极材料具有更高的电容，使其状态更易于准确区分。此外，三星还通过降低工作电压和减少噪音等方面的努力，为用户提供了优化的解决方案。

需要注意的是，这些12纳米DDR5芯片仍然是16Gb的IC，因此并未在密度方面实现突破。然而，它们在功耗、速度和晶圆经济等方面带来了显著的好处。据三星表示，与前一代相比，12纳米DDR5芯片的功耗降低了23%，晶圆生产力提高了20%。

通过启动12纳米DDR5 DRAM的大规模生产，三星再次展示了其在DRAM领域的技术实力和领导地位。这将为数据中心、人工智能等领域的应用带来更高的性能和效率。随着技术的不断进步，相信DRAM领域将迎来更多创新和突破，为用户带来更出色的体验和解决方案。

标签：三星 12纳米DDR5DRAM 大规模生产

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