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著名国工程院外籍院士施敏去世

2023-11-10 19:01:41 编辑:关枝咏 来源:
导读 根据中国工程院官网院士馆栏目在近日所更新的内容中显示,中国工程院的外籍院士美国国家工程院院士被称之为半导体一代宗师的施敏教授在2023...

根据中国工程院官网“院士馆”栏目在近日所更新的内容中显示,中国工程院的外籍院士美国国家工程院院士被称之为“半导体一代宗师”的施敏教授在2023年的11月6号去世。根据媒体报道施敏在11月6号安详离世,享年87岁,在发布的讣告中称施敏的一生对半导体器件以及电子产品对于整个世界的贡献也将会被人们铭记在心里。施敏也被称之为“半导体一代宗师”根据中国工程院官网介绍非挥发MOS场效应记忆晶体管就是施敏研究发现的。在微波器件、金半接触,次微米金属半场效应晶体技术等领域中施敏都有非常大的贡献,尤其是在电子元件领域中更是提供了非常扎实的基础性以及前瞻性的贡献。

根据公开资料显示施敏1957年毕业于中国台湾大学的电机系,在1960年通过自己的努力就在美国华盛顿大学获得了电机工程硕士,后续又获得了电机工程博士,1967年施敏教授和姜大元博士在美国共同发现了浮栅存储效应,也是广泛应用的快闪存储器中的核心发明。

在半导体接触、半导体设备、微波器件以及金属氧化物半导体场效应晶体管等一系列技术的研发中,施敏教授作出的贡献都具有开创性的意义,尤其是施敏教授参与研发的非易失性半导体存储器面世之后,给半导体行业带来的影响非常深远。

施敏教授还根据自己的专业技能撰写了非常具有传奇色彩的《半导体器件物理学》,这本书涉及到的专业知识领域非常强,想要接触全球半导体以及集成电路方面的研究人员就可以通过这本书来学习到更多扎实的功底。而这本书也一直被研究生院的老师学生包括电子和光子行业的工程师引用。


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