三星宣布 36 Gbps GDDR7 内存标准

2022-10-07 16:00:26 编辑：屠昭岚来源：

导读三星展示了新一波的内存解决方案和未来计划，以指数级提高数据中心、服务器、移动、游戏和汽车市场的性能。今年三星技术日的内存亮点包括DD...

三星展示了新一波的内存解决方案和未来计划，以指数级提高数据中心、服务器、移动、游戏和汽车市场的性能。今年三星技术日的内存亮点包括DDR5RAM 容量的提高、下一代 GDDR 标准的发布以及V-NAND存储技术的未来愿景。

对于 DRAM 市场，三星正在加速 1b 生产工艺，借助 High-K 等技术，该工艺允许扩展到 10 纳米以上。该公司将很快推出每个内存芯片 32 Gb 的 DDR5 密度，比现有的 16 Gb 增加 2 倍，比 24 Gb 芯片增加 33%。此外，用于手机和超极本的 8.5 GbpsLPDDR5X DRAM 解决方案也有望在来年得到更多采用。将进一步开发定制的 DRAM 解决方案，例如HBM-PIM、AXDIMM 和CXL ，以实现人工智能和神经网络应用程序的加速处理。

下一代 GPU 将受益于更快的 RAM，因为这家韩国巨头宣布了传输速率高达 36 Gbps 的 GDDR7 规格。与某些 Nvidia RTX 4000 卡提供的美光当前24 Gbps GDDR6X芯片相比，这一新标准应将速度提高 50% 。使用 384 位总线，GDDR7 理论上可以提供 1.7 TB/s 的带宽，但 256 位总线仍然可以突破 1 TB/s 的限制。

最后但同样重要的是，三星谈到了 V-NAND 存储内存芯片的改进。1 Tb TLC V-NAND 芯片将于 2022 年底上市，第九代 V-NAND 的开发已经在进行中，首批芯片计划于 2024 年生产。三星的目标是到 2030 年发布 1000 层 V-NAND 解决方案。

标签：

免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！