三星芯片制造部门突破：3纳米工艺良率达60%，超越台积电

2023-07-18 14:05:53 编辑：东方星舒来源：

导读根据Hi Investment & Securities机构最近发布的报告，据报道，三星旗下的芯片制造部门Samsung Foundry在3纳米工艺上的良率达到了60%，...

根据Hi Investment & Securities机构最近发布的报告，据报道，三星旗下的芯片制造部门Samsung Foundry在3纳米工艺上的良率达到了60%，高于台积电的55%。

报道称，三星正积极发展3纳米工艺，不断提升生产工艺和良率。目前，他们已经将良率提高到了60%。据该媒体认为，三星在超先进芯片制造技术方面将超过台积电。

报告中还指出，三星目前在4纳米工艺方面的良率为75%，与台积电的80%存在一定差距。然而，通过加大对3纳米工艺的发展力度，三星有望在未来超越台积电。

报告还指出，由于台积电的大部分订单都被苹果预订，英伟达、高通等公司对三星的第二代3纳米（SF3）工艺表现出兴趣。

此前，IT之家曾报道了三星旗下的芯片制造部门Samsung Foundry在SFF 2023上公布的最新工艺技术路线图。根据该公司的计划，他们将于2025年推出2纳米级的SF2工艺，并于2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。

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