三星揭示最新工艺技术路线图：2025年2纳米，2027年1.4纳米的突破

6月28日消息，根据三星代工（Samsung Foundry）今天在年度三星代工论坛（SFF 2023）上公布的最新工艺技术路线图，该公司计划在2025年推出2纳米级的SF2工艺，2027年推出1.4纳米级的SF1.4工艺。与此同时，该公司还公布了SF2工艺的一些特性。

三星的SF2工艺是在今年早些时候推出的第三代3纳米级（SF3）工艺的基础上进一步优化的。相较于SF3工艺，SF2工艺在相同的频率和复杂度下提高了25%的功耗效率，在相同的功耗和复杂度下提高了12%的性能，并在相同的性能和复杂度下减少了5%的面积。为了提高SF2工艺的竞争力，三星还将为该工艺提供一系列先进的IP组合，包括LPDDR5x、HBM3P、PCIe Gen6和112G SerDes等。

除SF2之外，三星还计划在2026年推出针对高性能计算（HPC）优化的SF2P工艺，并在2027年推出针对汽车应用优化的SF2A工艺。与此同时，在2027年，该公司还计划开始使用SF1.4（1.4纳米级）制造工艺进行量产。三星的2纳米级工艺预计与台积电的N2（2纳米级）工艺大致同步，比英特尔的20A工艺晚约一年左右。

IT之家注意到，除了不断提升自己的工艺技术，三星代工还计划继续发展其射频技术。该公司预计其5纳米射频工艺技术将于2025年上半年准备就绪。相较于旧版的14纳米射频工艺，三星的5纳米射频预计可以提高40%的功耗效率，并提高约50%的晶体管密度。此外，三星还将于2025年开始生产氮化镓（GaN）功率半导体，用于消费品、数据中心和汽车领域等各种应用。

在扩大技术供应方面，三星代工仍致力于增加其在韩国平泽和美国得州泰勒市的制造能力。三星计划于2023年下半年在其平泽3号生产线（P3）开始量产芯片。泰勒市新建厂房预计将于今年年底完工，并于2024年下半年开始运营。三星目前的计划是到2027年将其洁净室容量比2021年增加7.3倍。