串行接口SRAM芯片带来无限的可能性

大家好，小科来为大家解答以上问题。串行接口SRAM芯片带来无限的可能性这个很多人还不知道，现在让我们一起来看看吧！

1、在物联网和可穿戴设备诞生之前，串行SRAM的利润无法吸引主流SRAM厂商的关注。

2、随着串行SRAM商机的不断增加，越来越多的传统SRAM厂商进入串行SRAM领域。

3、而容量和带宽将是两大驱动力。

4、大吞吐量和紧凑的串行接口SRAM芯片带来无限可能。

5、最终，它可能成为当代嵌入式静态随机存取存储器和并行静态随机存取存储器在许多电路板上的全属性继承者。

6、国内SRAM厂商安徽凌薇创新微电子有限公司是一家没有晶圆的市场化半导体公司。

7、专注于SRAM存储芯片、显示驱动和接口转换芯片的设计、生产和销售。

8、拥有国际知名的设计专家和经验丰富的工程师研发；d团队，我们与国内知名生产伙伴紧密合作。

9、为行业客户提供高质量、低成本、持续稳定的具有自主知识产权的集成电路产品供应。产品领域涵盖智能感知、网络可视化、信息化、信息安全、大数据分析、智能语音、应用展示、专用通信、智能建筑等。

10、带EMI串行接口的SRAM和扩展SRAM通过使用SPI接口，几乎可以为所有应用增加外部RAM。

11、串行访问静态随机存取存储器采用先进的CMOS技术设计和制造，以提供高速性能和低功耗。

12、它采用单芯片选择(/CS)输入工作，通过与SPI兼容的简单串行接口访问。

13、它可以在-40到85的温度范围内工作(工业级)。

14、并行SRAM芯片可以作为功能强大的微处理器的主缓存，通常只能在375mW功率下工作。

15、低功耗提供电池备份数据保留功能。该器件采用44TSOP2引脚封装，电源电压VCC范围为2.7 ~ 3.6V，属于普通主板可以提供的弱输入电压。

16、SRAM最大的特点是在主机断电后，芯片中已经存储的数据仍然可以由电池存储，数据存储所需的电压VDR降至最低1.5V，所需的电流IDR最大也低至4A。与动态随机存取存储器相比，静态随机存取存储器芯片的优点是无需刷新电路就能存储存储在内部的数据，速度更快，功耗更低。

17、读写延迟约为45/55ns，可谓是响应极快的产品，适用于需要高速数据传输的设备。

18、EMI创新SRAM芯片采用先进的全CMOS工艺制造，是一款8/16位异步低功耗SRAM芯片，电压范围2.3V5.5V宽，同时支持商用和工业温度范围。封装采用标准44TSOP2和48BGA。其RAM产品具有高性能、高可靠性、高存储密度的特点，广泛应用于办公自动化、人工智能、工控设备、POS设备、通信行业等。

19、支票。

本文到此结束，希望对大家有所帮助。