三星宣布HBM2能够从单个16GB芯片获得410GB / s的带宽

三星在GTC 2019上发布了最新的第三代HBM2(第二代高带宽内存)，称之为Flashbolt。三星的HBM2E内存能够在单个堆栈中实现3.2Gb / s的传输速度和高达16GB的容量，使前几代HBM2内存相形见绌，甚至使AMD Radeon VII的16GB四核HBM2以2Gb / s的速度运行也相当平民化。 。

尽管与GDDR5 / 6产品相比占地面积相对较小，但每个HBM2封装内最多有8个存储器堆栈(8-Hi)，通过硅通孔(TSV)连接。AMD利用其Vega架构采用HBM2的小封装尺寸，在RX Vega 64和RX Vega 56中安装了8GB的内容。随后，随着Radeon VII的推出，它的前辈产能增加了一倍，达到16GB的HBM2。这是通过四个内存堆栈(4-Hi一块)实现的。

然而，只需一个8-Hi三星Flashbolt HBM2E封装即可实现。每个裸片都具有16Gb的巨大容量，可以叠加8个裸片，并且您拥有16GB的封装，可管理410 GB / s的数据带宽。

“Flashbolt业界领先的性能将为下一代数据中心，人工智能，机器学习和图形应用提供增强的解决方案，”三星内存产品高级副总裁Jinman Han表示。“我们将继续扩大我们的优质DRAM产品，并改善我们的'高性能，高容量，低功耗'内存部分，以满足市场需求。”

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但HBM2价格昂贵。在试图推出针对消费者目标的HBM2显卡时，AMD已经因内存价格问题而陷入困境，最近才开始与Radeon VII进行价格/性能关系。因此，这种高性能存储技术从新兴的专业GPU和IC市场中获得了最大的喜爱。

Nvidia在Titan V中填充了12GB的HBM2，但从未在主流市场的内存技术上大跌眼镜。相反，绿色团队在RTX 20系列和16系列显卡中选择了更便宜且功能更强的GDDR6封装，唯一的例外是GDDR5上的GTX 1660。

就在一年多前，三星推出了第二代HBM2，绰号为Aquabolt：8GB HBM2以2.4Gb / s的速度运行，总计307.2GB / s。这已经超过了它的第一代内存，它必须打破HBM2规格并将电压提高到1.35V以打破2Gb / s的屏障。到目前为止，三星已经对Flashbolt电压保持稳定，但可能需要再次将电压提升至3.2Gb / s。